VND5N07TR-E አዲስ እና ኦሪጅናል MOSFET የሃይል መቀየሪያ/ሹፌር 1፡1 ኤን-ቻናል 3.5A DPAK ተለይቶ የቀረበ ምስል

VND5N07TR-E አዲስ እና ኦሪጅናል MOSFET የኃይል መቀየሪያ/ሹፌር 1፡1 N-ቻናል 3.5A DPAK

አጭር መግለጫ፡-

Mfr.ክፍል: VND5N07TR-E
አምራች: STMicroelectronics
ጥቅል፡ DPAK/TO252
መግለጫ፡ MOSFET
የውሂብ ሉህ፡ እባክዎ ያግኙን።

የምርት ዝርዝር

የምርት መለያዎች

የምርት መለኪያ

መግለጫ

VND5N07-E የተነደፈ ነጠላ መሳሪያ ነው።
STMicroelectronics® VIPower® M0 በመጠቀም
ቴክኖሎጂ, ደረጃውን ለመተካት የታሰበ
የኃይል MOSFETs ከዲሲ እስከ 50 kHz
መተግበሪያዎች.አብሮ የተሰራ የሙቀት መዘጋት፣ መስመራዊ
የአሁኑ ገደብ እና ከመጠን በላይ የቮልቴጅ ክላምፕ ጥበቃ
አስቸጋሪ በሆኑ አካባቢዎች ውስጥ ቺፕ.
የስህተት ግብረመልስን በመከታተል ሊታወቅ ይችላል።
ቮልቴጅ በግቤት ፒን ላይ.

ዝርዝሮች
ባህሪ	ዋጋ
ምድብ	የተቀናጁ ወረዳዎች (አይሲዎች)
	PMIC - የኃይል ማከፋፈያ መቀየሪያዎች, የጭነት ነጂዎች
	STMicroelectronics
	OMNIFET II ቪአይፒኦወር
	ቴፕ እና ሪል (TR)
	የተቆረጠ ቴፕ (ሲቲ)
	ዲጂ-ሪል
ክፍል ሁኔታ	ንቁ
የመቀየሪያ አይነት	አጠቃላይ ዓላማ
የውጤቶች ብዛት	1
ምጥጥን - ግቤት: ውጤት	1፡01
የውጤት ውቅር	ዝቅተኛ ጎን
የውጤት አይነት	ኤን-ቻናል
በይነገጽ	አብራ/አጥፋ
ቮልቴጅ - ጭነት	55 ቪ (ከፍተኛ)
ቮልቴጅ - አቅርቦት (ቪሲሲ/ቪዲዲ)	ግዴታ አይደለም
የአሁኑ - ውፅዓት (ከፍተኛ)	3.5 ኤ
Rds በርቷል (አይነት)	200mOhm (ከፍተኛ)
የግቤት አይነት	የማይገለበጥ
ዋና መለያ ጸባያት	-
የስህተት ጥበቃ	የአሁኑ ገደብ (ቋሚ)፣ ከሙቀት በላይ፣ ከቮልቴጅ በላይ
የአሠራር ሙቀት	-40°ሴ ~ 150°ሴ (ቲጄ)
የመጫኛ ዓይነት	Surface ተራራ
የአቅራቢ መሣሪያ ጥቅል	ዲፒኬ
ጥቅል / መያዣ	TO-252-3፣ DPak (2 Leads + Tab)፣ SC-63